Intel und Micron stellen neuen 3D NAND Flash Speicher vor

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Geschrieben von Leonardo Ziaja
Veröffentlicht: 27. März 2015

logo intelSamsung konnte bereits mit der 850 Pro eine erste SSD mit 3D V-NAND Flash-Speicher auf den Markt bringen. Nun ziehen Intel und Micron in gemeinsamer Kooperation mit und präsentieren ihre 3D NAND Technologie, die bis zu dreifach höhere Kapazitäten bieten soll.

 

 

 

3DNANDDiewithM2SSD

Hier die wichtigsten Eigenschaften:

  • Hohe Kapazität: bis zu 48GB NAND pro Die, so dass rund 750GB Daten in ein einziges Package in der Größe einer Fingerkuppe passen

  • Reduzierte Kosten pro GB: Die erste Generation 3D NAND ist so konzipiert, dass sie kosteneffizienter als flacher NAND Speicher arbeitet

  • Schnell: Hohe Lese-/Schreib-Bandbreite, I/O-Geschwindigkeit und hohe Geschwindigkeit beim zufälligen Lesen (Random Read)

  • Umweltschonend: Neue Sleep-Modi senken den Stromverbrauch, da sie die Stromzufuhr zu nicht aktiven NAND-Zellen unterbinden wird

 

Vom Aufbau her stapelt die neue 3D NAND Technologie Schichten aus Datenspeicherzellen vertikal an, so dass SSDs und andere Datenspeicher eine dreimal höhere Kapazität aufweisen als bei konkurrierenden NAND Technologien. Erste Muster der 256Gb MLC-Version werden ab heute hergestellt. Erste Muster der TLC-Variante mit 384Gb sollen dann im Frühjahr folgen. Die Massenproduktion soll anschließend im vierten Quartal diesen Jahres angehen.

Quelle: Pressemitteilung

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